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MRFE6VP61K25HR5

RF Power LDMOS Transistors

RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs These high ruggedness devices are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace and radio/land mobile applications. They are unmatc

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恩XP

恩XP

MRFE6VP61K25HR5

RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

文件:857.08 Kbytes 页数:23 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRFE6VS25L

SMD

恩XP

MRJR3360M1

AMPHENOL

安费诺

上传:深圳市阅创想科技有限公司

MRSS32W

SOT

详细参数

  • 型号:

    MRFE6VP61K25HR5

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FSL
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正迈科技☑原装☑进口☑诚信大量原装
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FREESCALE
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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Freescale(飞思卡尔)
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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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高频管
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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全新原装假一赔十
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FREESCALE专营品牌进口原装现货假一赔十
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NI-1230
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
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更多MRFE6VP61K25HR5供应商 更新时间2025-12-16 9:12:00