RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

The RF Sub–Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM 900 MHz frequency band, the high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large–signal, common– source amplifier applications in 26 volt base st

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Motorola

摩托罗拉

SOT143

ON

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TO270-2

FREESCAL

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TO-252

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

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高频管

Freescale/飞思卡尔

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