MRF904分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MRF904 |
| 参数属性 | MRF904 封装/外壳为TO-206AF，TO-72-4 金属罐；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 15V 4GHZ TO72 |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-206AF，TO-72-4 金属罐 |
| 文件大小 |
85.29 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Microsemi Corporation |
| 企业简称 |
MICROSEMI【美高森美】 |
| 中文名称 | 美高森美公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-6 14:06:00 |
| 人工找货 | MRF904价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MRF904规格书详情
MRF904属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由美高森美公司制造生产的MRF904晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
DESCRIPTION:
Designed primarily for use IN High Gain, low noise general purpose amplifiers.
Features
• Silicon NPN, high Frequency, To-72 packaged, Transistor
• High Power Gain - GU(max)=11 dB (typ) @ f = 450 MHz
7 dB (typ) @ f = 1 GHz
• Low Noise Figure
NF = 1.5 dB (typ) @ f = 450 MHz
• High FT - 4 GHz (typ) @ IC = 15 mAdc
产品属性
更多- 产品编号：
MRF904
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
- 频率 - 跃迁：
4GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.5dB @ 450MHz
- 增益：
6.5dB ~ 10.5dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 5mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-206AF，TO-72-4 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-72
- 描述：
RF TRANS NPN 15V 4GHZ TO72
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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