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MRF6V2150NBR1

RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

文件:517.98 Kbytes 页数:13 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6V2150NBR1

RF Power Field-Effect Transistors

文件:928.65 Kbytes 页数:18 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6V2150NBR1

RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

文件:573.96 Kbytes 页数:15 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6VP3450HR6

高频管

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市昊创电子有限公司

MRF7S16150HR3

高频管

FREESCAL..

详细参数

  • 型号:

    MRF6V2150NBR1

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 VHV6 150W

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FSL
23+
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150
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23+
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只做原装正品军工级部分订货
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更多MRF6V2150NBR1供应商 更新时间2026-2-1 9:12:00