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MRF6V2300NR5

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs Designed primarily for CW large--signal output and driver applications with frequencies up to 600 MHz. Devices are unmatched and are suitable for use in industrial, medical and scientific applications.

文件:1.19064 Mbytes 页数:19 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6VP3450HR6

高频管

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市昊创电子有限公司

MRF7S16150HR3

高频管

FREESCAL..

MRF7S16150HSR3

NA

FREESCALE/飞思卡尔

上传:深圳市天卓伟业电子有限公司

FREESCALE/飞思卡尔

MRF7S19120NR1

TO-272

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    MRF6V2300NR5

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W TO270WB4N

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

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更多MRF6V2300NR5供应商 更新时间2026-6-1 15:10:00