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MRF7S19120NR1	文件：499.38 Kbytes Page：14 Pages	RF Power Field Effect Transistor 1930-1990 MHz, 36 W AVG., 28 V SINGLE W-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for CDMA base station applications with frequencies from 1930 to 1990 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats. • Typical Single-Carrier W-CDMA Perform 文件：499.38 Kbytes 页数：14 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF7S19120NR1	文件：517.78 Kbytes Page：14 Pages	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 文件：517.78 Kbytes 页数：14 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
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