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MRF857D	文件：174.2 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TheRFLine NPNSiliconRFPowerTransistor Designedfor24VoltUHFlarge–signal,commonemitter,classAlinearamplifierapplicationsinindustrialandcommercialequipmentoperatingintherangeof800–960MHz. •SpecifiedforVCE=24Vdc,IC=0.3AdcCharacteristics OutputPower=2.	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MRF857S	文件：102.57 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconRFPowerTransistor TheRFLine NPNSiliconRFPowerTransistor Designedfor24VoltUHFlarge–signal,commonemitter,classAlinearamplifierapplicationsinindustrialandcommercialequipmentoperatingintherangeof800–960MHz. •SpecifiedforVCE=24Vdc,IC=0.3AdcCharacteristics OutputPower=2.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MRF857S	文件：174.2 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR TheRFLine NPNSiliconRFPowerTransistor Designedfor24VoltUHFlarge–signal,commonemitter,classAlinearamplifierapplicationsinindustrialandcommercialequipmentoperatingintherangeof800–960MHz. •SpecifiedforVCE=24Vdc,IC=0.3AdcCharacteristics OutputPower=2.	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MUR857	文件：59.5 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MUR857	文件：56.6 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Singlerectifierconstruction •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolaritypro	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MX857	文件：189.14 Kbytes Page：7 Pages	SingleDriverforGaAsFETSwitchesandAttenuators	Clare Clare, Inc.	Clare
MZ857	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NTE857	文件：28.14 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitLow-NoiseJFET-InputOperationalAmplifier Description: TheNTE857MandNTE857SMarelow–noiseJFETinputoperationalamplifierscombiningtwostate–of–the–artlineartechnologiesonasinglemonolithicintegratedcircuit.EachinternallycompensatedoperationalamplifierhaswellmatchedhighvoltageJFETinputdevicesforlowinputof	NTE NTE Electronics	NTE
NTE857M	文件：28.14 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitLow-NoiseJFET-InputOperationalAmplifier Description: TheNTE857MandNTE857SMarelow–noiseJFETinputoperationalamplifierscombiningtwostate–of–the–artlineartechnologiesonasinglemonolithicintegratedcircuit.EachinternallycompensatedoperationalamplifierhaswellmatchedhighvoltageJFETinputdevicesforlowinputof	NTE NTE Electronics	NTE
NTE857SM	文件：28.14 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitLow-NoiseJFET-InputOperationalAmplifier Description: TheNTE857MandNTE857SMarelow–noiseJFETinputoperationalamplifierscombiningtwostate–of–the–artlineartechnologiesonasinglemonolithicintegratedcircuit.EachinternallycompensatedoperationalamplifierhaswellmatchedhighvoltageJFETinputdevicesforlowinputof	NTE NTE Electronics	NTE

详细参数

型号：
MRF857D
制造商：
MOTOROLA
制造商全称：
Motorola, Inc
功能描述：
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MRF857D供应商更新时间2025-7-20 11:10:00

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