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MRF8P20160HR3	文件：874.65 Kbytes Page：17 Pages	RF Power Field Effect Transistors 文件：874.65 Kbytes 页数：17 Pages	恩XP	恩XP
MRF8S8260HSR3	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳市河锋鑫科技有限公司	freescale
MRF9080LR5	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-272	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳庞田科技有限公司	freescale
MRF9080R3	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-272	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳庞田科技有限公司	freescale
MRF9511	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT143	ON 上传：深圳市英科美电子有限公司	ON

详细参数

型号：
MRF8P20160HR3
功能描述：
DISCRETE RF FET
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> RF FET
系列：
-
产品目录绘图：
MOSFET SOT-23-3 Pkg
标准包装：
3,000
晶体管类型：
N 通道 JFET
频率：
-
增益：
- 电压 -
测试：
-
额定电流：
30mA
噪音数据：
- 电流 -
测试：
- 功率 -
输出：
- 电压 -
额定：
25V
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
带卷(TR)
产品目录页面：
1558(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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