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MRF8S21200HSR6

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF8S21200HSR6

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

详细参数

  • 型号:

    MRF8S21200HSR6

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

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更多MRF8S21200HSR6供应商 更新时间2025-7-28 22:54:00