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MRF8S21200HSR6分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

MRF8S21200HSR6
厂商型号

MRF8S21200HSR6

参数属性

MRF8S21200HSR6 封装/外壳为NI-1230S;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS

功能描述

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

封装外壳

NI-1230S

文件大小

310.14 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Freescale Semiconductor, Inc
企业简称

freescale飞思卡尔

中文名称

飞思卡尔半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-26 11:42:00

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产品属性

  • 产品编号:

    MRF8S21200HSR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双)

  • 频率:

    2.14GHz

  • 增益:

    18.1dB

  • 功率 - 输出:

    48W

  • 封装/外壳:

    NI-1230S

  • 供应商器件封装:

    NI-1230S

  • 描述:

    FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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