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MRF8S21100HSR3分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
MRF8S21100HSR3 |
参数属性 | MRF8S21100HSR3 封装/外壳为NI-780S;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI780S |
功能描述 | RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
封装外壳 | NI-780S |
文件大小 |
447.93 Kbytes |
页面数量 |
15 页 |
生产厂商 | Freescale Semiconductor, Inc |
企业简称 |
freescale【飞思卡尔】 |
中文名称 | 飞思卡尔半导体官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-23 16:07:00 |
人工找货 | MRF8S21100HSR3价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号:
MRF8S21100HSR3
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
2.17GHz
- 增益:
18.3dB
- 功率 - 输出:
24W
- 封装/外壳:
NI-780S
- 供应商器件封装:
NI-780S
- 描述:
FET RF 65V 2.17GHZ NI780S
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
24+ |
NA/ |
238 |
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