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MRF8S23120HSR3

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

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飞思卡尔

MRF8S23120HSR3

包装:管件 封装/外壳:NI-780S 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    MRF8S23120HSR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    2.3GHz

  • 增益:

    16dB

  • 功率 - 输出:

    28W

  • 封装/外壳:

    NI-780S

  • 供应商器件封装:

    NI-780S

  • 描述:

    FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S

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更多MRF8S23120HSR3供应商 更新时间2024-4-29 14:00:00