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MRF8S23120HSR3分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MRF8S23120HSR3 |
| 参数属性 | MRF8S23120HSR3 封装/外壳为NI-780S；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S |
| 功能描述 | RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| 封装外壳 | NI-780S |
| 文件大小 |
449.89 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | Freescale Semiconductor, Inc |
| 企业简称 |
freescale【飞思卡尔】 |
| 中文名称 | 飞思卡尔半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-7 19:30:00 |
| 人工找货 | MRF8S23120HSR3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
MRF8S23120HSR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
2.3GHz
- 增益：
16dB
- 功率 - 输出：
28W
- 封装/外壳：
NI-780S
- 供应商器件封装：
NI-780S
- 描述：
FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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