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MRF8S7170NR3

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

728-768 MHz, 50 W AVG., 28 V SINGLE W-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for base station applications with frequencies from 728 to 768 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats. • Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: V

文件:341.75 Kbytes 页数:13 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF8S8260HSR3

SMD

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

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MRF9080LR5

TO-272

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

MRF9080R3

TO-272

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

MRF9511

SOT143

ON

详细参数

  • 型号:

    MRF8S7170NR3

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 HV8 700MHz 50W OM780-2

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

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更多MRF8S7170NR3供应商 更新时间2025-12-1 10:20:00