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MRF8372R2

RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON

The RF Line NPN Silicon RF Low Power Transistor Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHz and UHF frequency ranges. • Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics Output Power = 750 mW Minimum Gain = 8.0 dB Efficiency 60 (Typ) • State–of–the–Art Techno

文件:101.2 Kbytes 页数:6 Pages

Motorola

摩托罗拉

MRF8372R2

RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets

Microchip

微芯科技

MRF8372R2

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

Microsemi

美高森美

MRF8S8260HSR3

SMD

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市河锋鑫科技有限公司

MRF9080LR5

TO-272

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    MRF8372R2

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    16V

  • 频率 - 跃迁:

    870MHz

  • 增益:

    8dB ~ 9.5dB

  • 功率 - 最大值:

    2.2W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 50mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SO

  • 描述:

    RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

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更多MRF8372R2供应商 更新时间2025-12-12 22:58:00