| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
MRF8372R2 | RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON The RF Line NPN Silicon RF Low Power Transistor Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHz and UHF frequency ranges. • Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics Output Power = 750 mW Minimum Gain = 8.0 dB Efficiency 60 (Typ) • State–of–the–Art Techno 文件：101.2 Kbytes 页数：6 Pages | MOTOROLA 摩托罗拉 | MOTOROLA | |
MRF8372R2 | RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
MRF8372R2 | Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
SMD | FREESCALE | |||
TO-272 | FREESCALE |
产品属性
- 产品编号：
MRF8372R2
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
16V
- 频率 - 跃迁：
870MHz
- 增益：
8dB ~ 9.5dB
- 功率 - 最大值：
2.2W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 50mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SO
- 描述：
RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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