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MRF8372R2	文件：101.2 Kbytes Page：6 Pages	RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON TheRFLine NPNSiliconRFLowPowerTransistor Designedprimarilyforwidebandlargesignalpredriverstagesin800MHzandUHFfrequencyranges. •Specified@12.5V,870MHzCharacteristics OutputPower=750mW MinimumGain=8.0dB Efficiency60(Typ) •State–of–the–ArtTechno	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MRF8372R2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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MRF8372R2

文件：101.2 Kbytes

Page：6 Pages

RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON

TheRFLine NPNSiliconRFLowPowerTransistor Designedprimarilyforwidebandlargesignalpredriverstagesin800MHzandUHFfrequencyranges. •Specified@12.5V,870MHzCharacteristics OutputPower=750mW MinimumGain=8.0dB Efficiency60(Typ) •State–of–the–ArtTechno

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola

MRF8372R2

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

产品属性

产品编号：
MRF8372R2
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
16V
频率 - 跃迁：
870MHz
增益：
8dB ~ 9.5dB
功率 - 最大值：
2.2W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SO
描述：
RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

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