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MRF8372R2分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

MRF8372R2
厂商型号

MRF8372R2

参数属性

MRF8372R2 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

功能描述

RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

文件大小

101.2 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Motorola, Inc
企业简称

MOTOROLA摩托罗拉

中文名称

加尔文制造公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 9:44:00

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MRF8372R2规格书详情

The RF Line

NPN Silicon RF Low Power Transistor

Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHz and UHF frequency ranges.

• Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics

Output Power = 750 mW

Minimum Gain = 8.0 dB

Efficiency 60 (Typ)

• State–of–the–Art Technology

Fine Line Geometry

Gold Top Metal and Wires

Silicon Nitride Passivated

Ion Implanted Arsenic Emitters

• Circuit board photomaster available upon request by contacting RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.

• Order MRF8372 in tape and reel packaging by adding suffix:

R1 suffix = 500 units per reel

R2 suffix = 2,500 units per reel

产品属性

  • 产品编号:

    MRF8372R2

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    16V

  • 频率 - 跃迁:

    870MHz

  • 增益:

    8dB ~ 9.5dB

  • 功率 - 最大值:

    2.2W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 50mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SO

  • 描述:

    RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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