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MRF8372G中文资料PDF规格书

MRF8372G
厂商型号

MRF8372G

参数属性

MRF8372G 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

功能描述

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

文件大小

62.55 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Advanced Power Technology
企业简称

ADPOW

中文名称

Advanced Power Technology官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二原厂数据手册

更新时间

2024-5-31 22:58:00

MRF8372G规格书详情

DESCRIPTION: Designed primarily for wideband large signal stages in the 800 MHz and UHF frequency ranges.

Features

• Specified @ 12.5V, 870 MHz characteristics

• Output Power = 750 mW

• Minimum Gain = 8.0dB

• Efficiency 60 Typical

• Cost Effective SO-8 package

产品属性

  • 产品编号:

    MRF8372G

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    16V

  • 频率 - 跃迁:

    870MHz

  • 增益:

    8dB ~ 9.5dB

  • 功率 - 最大值:

    2.2W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 50mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SO

  • 描述:

    RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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