MRF8372分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MRF8372 |
| 参数属性 | MRF8372 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 文件大小 |
62.55 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | Advanced Power Technology |
| 企业简称 |
ADPOW |
| 中文名称 | Advanced Power Technology官网 |
| 原厂标识 | ADPOW |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 11:52:00 |
| 人工找货 | MRF8372价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MRF8372规格书详情
DESCRIPTION: Designed primarily for wideband large signal stages in the 800 MHz and UHF frequency ranges.
特性 Features
• Specified @ 12.5V, 870 MHz characteristics
• Output Power = 750 mW
• Minimum Gain = 8.0dB
• Efficiency 60 Typical
• Cost Effective SO-8 package
产品属性
- 产品编号：
MRF8372
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
16V
- 频率 - 跃迁：
870MHz
- 增益：
8dB ~ 9.5dB
- 功率 - 最大值：
2.2W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 50mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SO
- 描述：
RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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