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MRF7S21110HR3	文件：807.26 Kbytes Page：15 Pages	RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs Designed for CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB and Class C for PCN--PCS/cellular radio and WLL applications. • Typical Single--Ca 文件：807.26 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
MRF7S21110HR3	文件：408.84 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 文件：408.84 Kbytes 页数：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
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