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MRF8372GR2	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets	Microchip 微芯科技	Microchip
MRF8372GR2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MRF8S8260HSR3	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳市河锋鑫科技有限公司	FREESCALE
MRF9080LR5	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-272	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳庞田科技有限公司	FREESCALE
MRF9080R3	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-272	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳庞田科技有限公司	FREESCALE

产品属性

产品编号：
MRF8372GR2
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
16V
频率 - 跃迁：
870MHz
增益：
8dB ~ 9.5dB
功率 - 最大值：
2.2W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SO
描述：
RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

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