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MRF8P18265HR6

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs Designed for CDMA and multicarrier base station applications with frequencies from 1805 to 1880 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats. • Typical Doherty Sin

文件:616.44 Kbytes 页数:14 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF8S8260HSR3

SMD

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市河锋鑫科技有限公司

MRF9080LR5

TO-272

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

MRF9080R3

TO-272

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

MRFE6S9060NR1

TO270-2

FREESCAL

详细参数

  • 型号:

    MRF8P18265HR6

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 65V N-CH 1840MHz

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MRF8P18265HR6供应商 更新时间2026-2-1 14:32:00