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MRF8S21200HR6

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF8S21200HR6

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF8S21200HR6_10

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

详细参数

  • 型号:

    MRF8S21200HR6

  • 功能描述:

    射频无线杂项 HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 工作频率:

    112 kHz to 205 kHz

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    3 V

  • 电源电流:

    8 mA

  • 工作温度范围:

    - 40 C to + 110 C

  • 封装/箱体:

    VQFN-48

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MRF8S21200HR6供应商 更新时间2025-7-28 10:21:00