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MRF7S21210HR3	文件：464.13 Kbytes Page：15 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 2110--2170 MHz, 63 W AVG., 28 V SINGLE W--CDMA LATERAL N--CHANNEL RF POWER MOSFETs Designed for CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats. • Typical Single--Carrier W--CDMA P 文件：464.13 Kbytes 页数：15 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
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