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MRF6S19100NBR1	文件：620.87 Kbytes Page：16 Pages	RF Power Field Effect Transistors RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforN-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplicat	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
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MRF6S19100NBR1

文件：620.87 Kbytes

Page：16 Pages

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforN-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplicat

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飞思卡尔

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MRF6S19100NBR1

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-272BB 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

产品属性

产品编号：
MRF6S19100NBR1
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
LDMOS
频率：
1.99GHz
增益：
14.5dB
功率 - 输出：
22W
封装/外壳：
TO-272BB
供应商器件封装：
TO-272 WB-4
描述：
FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4

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更多MRF6S19100NBR1供应商更新时间2024-5-1 23:00:00

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