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MRF6S18140HSR3	文件：409.91 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs DesignedforN-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1805to1880MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplications. Features •CharacterizedwithSeriesEquivalentLarge-SignalImpedanceP	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
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MRF6S18140HSR3

文件：409.91 Kbytes

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RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

DesignedforN-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1805to1880MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplications. Features •CharacterizedwithSeriesEquivalentLarge-SignalImpedanceP

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包装：卷带（TR）封装/外壳：NI-880S 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 68V 1.88GHZ NI880S

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

产品属性

产品编号：
MRF6S18140HSR3
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
LDMOS
频率：
1.88GHz
增益：
16dB
功率 - 输出：
29W
封装/外壳：
NI-880S
供应商器件封装：
NI-880S
描述：
FET RF 68V 1.88GHZ NI880S

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