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MRF6S19100HSR3	文件：413.41 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for N-CDMA base station applications with frequencies from 1930 to 1990 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applicat 文件：413.41 Kbytes 页数：12 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF6S19100HSR3	文件：413.11 Kbytes Page：11 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 文件：413.11 Kbytes 页数：11 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF6S19100HSR3	文件：427.96 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 文件：427.96 Kbytes 页数：12 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF6S24140HR3	文件：0 bytes Page：0 Pages	高频管	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳市翔睿腾科技有限公司	freescale
MRF6S9125N	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	freescale

更多MRF6S19100HSR3供应商更新时间2025-12-4 13:30:00