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MRF6S19100HSR3	文件：413.41 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforN-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplicat	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
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MRF6S19100HSR3

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RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforN-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplicat

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

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RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

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RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

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详细参数

型号：
MRF6S19100HSR3
功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 HV6 WCDMA 22W NI780HS
RoHS：
否
制造商：
Freescale Semiconductor
配置：
Single
频率：
1800 MHz to 2000 MHz
增益：
27 dB
输出功率：
100 W
封装/箱体：
NI-780-4
封装：
Tray

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