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MRF6S19060N

RF Power Field Effect Transistors

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飞思卡尔

MRF6S19060NBR1

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforN-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLap

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飞思卡尔

MRF6S19060NR1

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforN-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLap

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RF Power Field Effect Transistors

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RF Power Field Effect Transistors

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MRF6S19060NR1_08

RF Power Field Effect Transistors

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MRF6S19060NBR1

包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-272BB 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

MRF6S19060NR1

包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-270AB 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

详细参数

  • 型号:

    MRF6S19060N

  • 制造商:

    FREESCALE

  • 制造商全称:

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述:

    RF Power Field Effect Transistors

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更多MRF6S19060N供应商 更新时间2024-4-30 16:36:00