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MRF6S18140HSR3中文资料PDF规格书

MRF6S18140HSR3
厂商型号

MRF6S18140HSR3

参数属性

MRF6S18140HSR3 封装/外壳为NI-880S;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 68V 1.88GHZ NI880S

功能描述

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

文件大小

409.91 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Freescaleiscreatingasmarter
企业简称

freescale飞思卡尔

中文名称

飞思卡尔官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-22 13:48:00

MRF6S18140HSR3规格书详情

Designed for N-CDMA base station applications with frequencies from 1805 to 1880 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN- PCS/cellular radio and WLL applications.

Features

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Internally Matched for Ease of Use

• Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation

• Integrated ESD Protection

• Designed for Lower Memory Effects and Wide Instantaneous Bandwidth Applications

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

产品属性

  • 产品编号:

    MRF6S18140HSR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    1.88GHz

  • 增益:

    16dB

  • 功率 - 输出:

    29W

  • 封装/外壳:

    NI-880S

  • 供应商器件封装:

    NI-880S

  • 描述:

    FET RF 68V 1.88GHZ NI880S

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