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MRF6S19100NR1

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for N-CDMA base station applications with frequencies from 1930 to 1990 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applicat

文件:620.87 Kbytes 页数:16 Pages

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详细参数

  • 型号:

    MRF6S19100NR1

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 22W

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

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更多MRF6S19100NR1供应商 更新时间2026-2-8 22:55:00