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MRF6P23190HR6	文件：435.71 Kbytes Page：11 Pages	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 2300-2400MHz,40WAVG.,28V2xW-CDMALATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFET DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2300to2400MHz.SuitableforWiMAX,WiBroandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABandClassCforWLLapplications. •Typical2-	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRF6P23190HR6	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：NI-1230 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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MRF6P23190HR6

文件：435.71 Kbytes

Page：11 Pages

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

2300-2400MHz,40WAVG.,28V2xW-CDMALATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFET DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2300to2400MHz.SuitableforWiMAX,WiBroandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABandClassCforWLLapplications. •Typical2-

freescaleFreescaleiscreatingasmarter

飞思卡尔

freescale

MRF6P23190HR6

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）封装/外壳：NI-1230 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

产品属性

产品编号：
MRF6P23190HR6
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
LDMOS
频率：
2.39GHz
增益：
14dB
功率 - 输出：
40W
封装/外壳：
NI-1230
供应商器件封装：
NI-1230
描述：
FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230

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更多MRF6P23190HR6供应商更新时间2024-5-1 9:42:00

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