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MRF5S9150HR3	文件：531.96 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 880 MHz, 33 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs Designed for N-CDMA base station applications with frequencies from 869 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications. • Typical Single-Carrier N-CDMA Performance @ 880 MHz: VDD = 28 Volts, IDQ = 1500 mA, Po 文件：531.96 Kbytes 页数：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF5S9150HR3	文件：468.28 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistor 文件：468.28 Kbytes 页数：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF5S9150HR3_09	文件：468.28 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistor 文件：468.28 Kbytes 页数：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
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MRF6S9125N	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	FREESCALE

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