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MRF5S19150HSR3	文件：439.88 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 1930-1990 MHz, 32 W AVG., 28 V 2 x N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications at frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for VDD = 28 Volts, IDQ = 文件：439.88 Kbytes 页数：12 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF5S9101NR1	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-270	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳庞田科技有限公司	freescale
MRF6S24140HR3	文件：0 bytes Page：0 Pages	高频管	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳市翔睿腾科技有限公司	freescale
MRF6S9125N	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	freescale
MRF6V12250H	文件：0 bytes Page：0 Pages	高频	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳市华来深电子有限公司	freescale

详细参数

型号：
MRF5S19150HSR3
功能描述：
MOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880S
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> RF FET
系列：
-
产品目录绘图：
MOSFET SOT-23-3 Pkg
标准包装：
3,000
晶体管类型：
N 通道 JFET
频率：
-
增益：
- 电压 -
测试：
-
额定电流：
30mA
噪音数据：
- 电流 -
测试：
- 功率 -
输出：
- 电压 -
额定：
25V
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
带卷(TR)
产品目录页面：
1558(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MRF5S19150HSR3供应商更新时间2025-12-22 13:32:00

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