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MRF5S9101MR1

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 869 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications. GSM Application • Typical GSM Performance: VDD = 26 Volts, IDQ = 700 mA,

文件:541.64 Kbytes 页数:20 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF5S9101NR1

TO-270

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

MRF6S24140HR3

高频管

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市翔睿腾科技有限公司

MRF6S9125N

SMD

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市向鸿伟业电子有限公司

MRF6V12250H

高频

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市华来深电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    MRF5S9101MR1

  • 功能描述:

    MOSFET RF N-CH 26V 100W TO2704

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MRF5S9101MR1供应商 更新时间2026-2-2 10:30:00