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MRF5812GR2中文资料RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets数据手册Microchip规格书

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厂商型号

MRF5812GR2

参数属性

MRF5812GR2 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

功能描述

RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 15:50:00

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技术参数

  • 产品编号:

    MRF5812GR2

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 频率 - 跃迁:

    5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    2dB ~ 3dB @ 500MHz

  • 增益:

    13dB ~ 15.5dB

  • 功率 - 最大值:

    1.25W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 50mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SO

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

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