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MRF581数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

MRF581

参数属性

MRF581 封装/外壳为微型-X 陶瓷 84C;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X

功能描述

Trans GP BJT NPN 18V 0.2A 4-Pin Macro-X

封装外壳

微型-X 陶瓷 84C

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-8-8 22:58:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MRF581

  • 生产厂家

    :NJS

  • Number of Elements per Chip

    :1

  • Minimum Operating Temperature

    :-65°C

  • Minimum DC Current Gain

    :50@50mA@5V

  • Maximum Transition Frequency

    :5000(Typ)MHz

  • Maximum Operating Temperature

    :150°C

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :2.5V

  • Maximum DC Collector Current

    :0.2A

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :18V

  • Maximum Collector Base Voltage

    :30V

  • Configuration

    :Single Dual Emitter

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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