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MRF5812数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

MRF5812

参数属性

MRF5812 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOIC

功能描述

Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 8-Pin SOIC

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MRF5812

  • 生产厂家

    :NJS

  • Number of Elements per Chip

    :1

  • Minimum DC Current Gain

    :50@50mA@5V

  • Maximum Transition Frequency

    :5000(Typ)MHz

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :2.5V

  • Maximum DC Collector Current

    :0.2A

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :15V

  • Maximum Collector Base Voltage

    :30V

  • Configuration

    :Single Dual Base Dual Collector Quad Emitter

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