MRF5812G中文资料RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets数据手册Microchip规格书
| 厂商型号 |
MRF5812G |
| 参数属性 | MRF5812G 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO |
| 功能描述 | RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 9:02:00 |
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技术参数
- 产品编号：
MRF5812G
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
- 频率 - 跃迁：
5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
2dB ~ 3dB @ 500MHz
- 增益：
13dB ~ 15.5dB
- 功率 - 最大值：
1.25W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 50mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SO
- 描述：
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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