MRF5812G 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 MICROSEMI/美高森美

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厂家型号：
MRF5812G
产品分类：
芯片
生产厂商：
MICROSEMI/美高森美
库存数量：
18800
产品封装：
SOP-8.贴片
生产批号：
24+25+/26+27+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-4-30 16:16:00

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原厂料号：MRF5812G品牌：MICROSEMI-美高森美

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MRF5812G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商MICROSEMI-美高森美/Microsemi Corporation生产封装SOP-8.贴片/8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）的MRF5812G晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
MRF5812G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ADPOW详情
厂商全称：
Advanced Power Technology
内容页数：
5 页
文件大小：
125.09 kb
资料说明：
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

产品属性

类型
描述
产品编号：
MRF5812G
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
频率 - 跃迁：
5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益：
13dB ~ 15.5dB
功率 - 最大值：
1.25W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SO
描述：
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

供应商

企业：
深圳市惊羽科技有限公司
商铺：
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联系人：
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手机：
13147005145
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