MRF5812GR1 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 MICROSEMI/美高森美

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厂家型号：
MRF5812GR1
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
生产厂商：
MICROSEMI/美高森美
库存数量：
3
产品封装：
生产批号：
0501
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-4-27 16:20:00

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原厂料号：MRF5812GR1品牌：MICROSEMI/ADVANCED POWER TECHN

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MRF5812GR1是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商MICROSEMI/ADVANCED POWER TECHN/Microsemi Corporation生产封装8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）的MRF5812GR1晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
MRF5812GR1
规格书：
下载下载2
企业简称：
MICROSEMI【美高森美】详情
厂商全称：
Microsemi Corporation
中文名称：
美高森美公司
资料说明：
TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC

产品属性

类型
描述
产品编号：
MRF5812GR1
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
频率 - 跃迁：
5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益：
13dB ~ 15.5dB
功率 - 最大值：
1.25W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SO
描述：
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

供应商

企业：
标准国际(香港)有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
康小姐
手机：
13714976628
询价：
电话：
0755-83206150/83258002/83223169
传真：
0755-83617149
地址：
深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813

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