MRF581分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
MRF581规格书详情
DESCRIPTION:
The MRF581 is Designed for High current low Power Amplifier Applications up to 1.0 GHz.
FEATURES:
• Low Noise Figure
• Low Intermodulation Distortion
• High Gain
• Omnigold™ Metalization System
产品属性
- 产品编号：
MRF581
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
18V
- 频率 - 跃迁：
5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
- 增益：
13dB ~ 15.5dB
- 功率 - 最大值：
1.25W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 50mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
微型-X 陶瓷 84C
- 供应商器件封装：
微型-X 陶瓷 84C
- 描述：
RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
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ON |
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