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MRF581A	文件：282.49 Kbytes Page：6 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz. Features • Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ • Gain at Optimum Noise Figure = 15.5 dB @ 500 MHz • Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA • Cost Effective MacroX Package 文件：282.49 Kbytes 页数：6 Pages	ADPOW	ADPOW
MRF581A	文件：99.08 Kbytes Page：3 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz. Features • Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ • Gain at Optimum Noise Figure = 15.5 dB @ 500 MHz • Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA • Cost Effective MacroX Package 文件：99.08 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MRF581A	文件：240.39 Kbytes Page：6 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz. Features • Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ • Gain at Optimum Noise Figure = 15.5 dB @ 500 MHz • Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA • Cost Effective MacroX Package 文件：240.39 Kbytes 页数：6 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MRF581A	文件：162.77 Kbytes Page：6 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS 文件：162.77 Kbytes 页数：6 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MRF581AG	文件：162.77 Kbytes Page：6 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS 文件：162.77 Kbytes 页数：6 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MRF581A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 4-Pin Macro-X	NJS 新泽西半导体	NJS
MRF581A	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets	Microchip 微芯科技	Microchip
MRF581A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：微型-X 陶瓷 84C；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 15V 5GHZ MICRO X	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MRF581AG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 4-Pin Macro-X	NJS 新泽西半导体	NJS
MRF581AG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：Macro-X；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 15V 5GHZ MACRO X	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

产品属性

产品编号：
MRF581A
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
频率 - 跃迁：
5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
增益：
13dB ~ 15.5dB
功率 - 最大值：
1.25W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
微型-X 陶瓷 84C
供应商器件封装：
微型-X 陶瓷 84C
描述：
RF TRANS NPN 15V 5GHZ MICRO X

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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