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MRF1513NT1	文件：479.56 Kbytes Page：16 Pages	RF Power Field Effect Transistor N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFET RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies to 520 MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large-signal, common source amplifier applications in 7.5 文件：479.56 Kbytes 页数：16 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF1513NT1	文件：476.46 Kbytes Page：16 Pages	RF Power Field Effect Transistor 文件：476.46 Kbytes 页数：16 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF1513NT1	文件：509.94 Kbytes Page：16 Pages	RF Power Field Effect Transistor 文件：509.94 Kbytes 页数：16 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF1513NT1_08	文件：476.46 Kbytes Page：16 Pages	RF Power Field Effect Transistor 文件：476.46 Kbytes 页数：16 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF1513NT1_0806	文件：509.94 Kbytes Page：16 Pages	RF Power Field Effect Transistor 文件：509.94 Kbytes 页数：16 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE

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