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MRF313	文件：131.48 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR DESCRIPTION: The MRF313 is Designed for wide band Amplifier Applications up to 400 MHz. FEATURES: • PG = 15 dB min. at 1.0 W/ 400 MHz • Common Emitter for Improved Stability • Omnigold™ Metalization System 文件：131.48 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
MRF313	文件：113.98 Kbytes Page：4 Pages	The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor 1.0W, 400MHz, 28V The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor 1.0W, 400MHz, 28V Designed for wideband amplifier, driver or oscillator applications in military, mobile, and aircraft radio. • Specified 28 V, 400 MHz characteristics — Output power = 1.0 W Power gain = 15 dB min. Effic 文件：113.98 Kbytes 页数：4 Pages	MA-COM	MA-COM
MRF313	文件：63.27 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor . . . designed for wideband amplifier, driver or oscillator applications in military, mobile, and aircraft radio. • Specified 28 Volt, 400 MHz Characteristics — Output Power = 1.0 Watt Power Gain = 15 dB Min Efficienc 文件：63.27 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MRF313	文件：84.72 Kbytes Page：3 Pages	HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor . . . designed for wideband amplifier, driver or oscillator applications in military, mobile, and aircraft radio. • Specified 28 Volt, 400 MHz Characteristics — Output Power = 1.0 Watt Power Gain = 15 dB Min Efficienc 文件：84.72 Kbytes 页数：3 Pages	MACOM	MACOM
MRF313	文件：113.98 Kbytes Page：4 Pages	The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor 文件：113.98 Kbytes 页数：4 Pages	MA-COM	MA-COM
MRF313	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Designed for wideband amplifier, driver or oscillator applications in military, mobile, and aircraft radio. ·Specified 28 V, 400 MHz Characteristics: Output Power = 1.0 W, Power Gain = 15 dB min.,Efficiency = 45% (Typ.)\n·Emitter Ballast and Low Current Destiny for Improved MTBF\n·Common Emitter for Improved Stability;	MACOM	MACOM
MRF313	文件：300 bytes Page：1 Pages	HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON	恩XP	恩XP
MRF313	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR	ASI Semiconductor	ASI Semiconductor
MRF313	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：305A-01；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：TRANS RF NPN 30V 150MA 305A-01	MACOM Technology Solutions	MACOM Technology Solutions
MRF313_15	文件：113.98 Kbytes Page：4 Pages	The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor 文件：113.98 Kbytes 页数：4 Pages	MA-COM	MA-COM

产品属性

产品编号：
MRF313
制造商：
MACOM Technology Solutions
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
30V
频率 - 跃迁：
2.5GHz
增益：
16dB
功率 - 最大值：
1W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 100mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
150mA
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
305A-01
供应商器件封装：
305A-01，1 型
描述：
TRANS RF NPN 30V 150MA 305A-01

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更多MRF313供应商更新时间2025-12-24 9:26:00

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