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MRF313分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

MRF313

参数属性

MRF313 封装/外壳为305A-01;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:TRANS RF NPN 30V 150MA 305A-01

功能描述

The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor 1.0W, 400MHz, 28V

封装外壳

305A-01

文件大小

113.98 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

MA-COM

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更新时间

2026-2-4 18:41:00

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MRF313规格书详情

The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor

1.0W, 400MHz, 28V

Designed for wideband amplifier, driver or oscillator applications in military, mobile, and aircraft radio.

• Specified 28 V, 400 MHz characteristics —

Output power = 1.0 W

Power gain = 15 dB min.

Efficiency = 45 typ.

• Emitter ballast and low current density for improved MTBF

• Common emitter for improved stability

产品属性

  • 产品编号:

    MRF313

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    30V

  • 频率 - 跃迁:

    2.5GHz

  • 增益:

    16dB

  • 功率 - 最大值:

    1W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 100mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    150mA

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    305A-01

  • 供应商器件封装:

    305A-01,1 型

  • 描述:

    TRANS RF NPN 30V 150MA 305A-01

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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