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MRF175GU	文件：183.2 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs TheRFMOSFETLine RFPower Field-EffectTransistors N–ChannelEnhancement–Mode Designedforbroadbandcommercialandmilitaryapplicationsusingpushpullcircuitsatfrequenciesto500MHz.Thehighpower,highgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakespossiblesolidstate	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MRF175GU	文件：214.11 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs TheRFMOSFETLine RFPower Field-EffectTransistors N-ChannelEnhancement-mode Designedforbroadbandcommercialandmilitaryapplicationsusingpushpullcircuitsatfrequenciesto500MHz.Thehighpower,highgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakespossiblesolidstatetransm	MACOM Tyco Electronics
MRF175GU	文件：447.7 Kbytes Page：16 Pages	The RF MOSFET Line 200/150W, 500MHz, 28V Designedforbroadbandcommercialandmilitaryapplicationsusingpushpullcircuitsatfrequenciesto500MHz.Thehighpower,highgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakespossiblesolidstatetransmittersforFMbroadcastorTVchannelfrequencybands. N–Channelenhancementmode	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.
MRF175GU	文件：38.37 Kbytes Page：1 Pages	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF175GUisaN-ChannelEnhancement-ModePushPullMOSFET,DesignedforFM,andTVSolidStateTransmitterApplicationsupto500MHz.	ASI Advanced Semiconductor, Inc
MRF175GU	文件：110.09 Kbytes Page：2 Pages	RF Power Field-Effect Transistors TheRFMOSFETLine RFPower Field-EffectTransistors N–ChannelEnhancement–Mode Designedforbroadbandcommercialandmilitaryapplicationsusingpushpullcircuitsatfrequenciesto500MHz.Thehighpower,highgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakespossiblesolidstate	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
MRF175GU	文件：447.7 Kbytes Page：16 Pages	The RF MOSFET Line 200/150W, 500MHz, 28V	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.
MRF175GU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：375-04 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 2CH 65V 225MHZ 375-04	MACOM Tyco Electronics
MRF175GU_15	文件：447.7 Kbytes Page：16 Pages	The RF MOSFET Line	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.
MRF175GU_17	文件：1.04918 Mbytes Page：17 Pages	The RF MOSFET Line 200/150W, 500MHz, 28V	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.
MRF175GU1111	文件：209 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs	MACOM Tyco Electronics
175	文件：115.71 Kbytes Page：2 Pages	RUGGEDandLIGHTWEIGHTALUMINUMBATTERYHOLDERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
175	文件：127.76 Kbytes Page：2 Pages	3M??Temflex??VinylElectricalTape175	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
175	文件：736.09 Kbytes Page：11 Pages	TemperatureSensorsLineGuide	HoneywellHoneywell Sensing and Productivity Solutions 霍尼韦尔霍尼韦尔国际
175A	文件：345.58 Kbytes Page：2 Pages	AutoLineTransformer	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.
175A-EU	文件：345.58 Kbytes Page：2 Pages	AutoLineTransformer	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.
175B	文件：345.58 Kbytes Page：2 Pages	AutoLineTransformer	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.
175B-EU	文件：345.58 Kbytes Page：2 Pages	AutoLineTransformer	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.
175C	文件：345.58 Kbytes Page：2 Pages	AutoLineTransformer	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.
175C	文件：179.14 Kbytes Page：3 Pages	SiliconControlledRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
175C-EU	文件：345.58 Kbytes Page：2 Pages	AutoLineTransformer	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.

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产品属性

产品编号：
MRF175GU
制造商：
MACOM Technology Solutions
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
2 N 沟道（双）共源
频率：
225MHz
增益：
14dB
额定电流（安培）：
26A
功率 - 输出：
200W
封装/外壳：
375-04
供应商器件封装：
375-04，2 型
描述：
FET RF 2CH 65V 225MHZ 375-04

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