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BD136	文件：1.07635 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighCurrent ●ComplementToBD135,BD137AndBD139	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BD136	文件：88.13 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCBD136/BD138/BD140aresiliconepitaxialplanerPNPtransistor,designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. ThecomplementaryNPNtypesaretheBD135/BD137/BD139.	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BD136	文件：57.38 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1.5A OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BD136	文件：76.38 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD136	文件：44.4 Kbytes Page：8 Pages	PNPpowertransistors DESCRIPTION PNPpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.NPNcomplements:BD135,BD137andBD139. FEATURES •Highcurrent(max.1.5A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Generalpurposepowerapplications,e.g.driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisi	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BD136	文件：44.51 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD136	文件：104.52 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor 1.5AMPEREPOWERTRANSISTORSPNPSILICON45,60,80VOLTS10WATTS ...designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=0.15Adc •BD136,138,140arecomplementarywithBD135,137,139	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BD136	文件：188.34 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS POWERTRANSISTORSPNPSILICON	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BD136	文件：41.75 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications Features •ComplementtoBD135,BD137andBD139respectively Applications •MediumPowerLinearandSwitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD136	文件：53.9 Kbytes Page：2 Pages	PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1.5A OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BD136	文件：111.28 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Highcurrent ·ComplementtotypeBD135/137/139 APPLICATIONS ·Driverstagesinhigh-fidelityamplifiersandtelevisioncircuits	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD136	文件：47.23 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications Features •ComplementtoBD135,BD137andBD139respectively Applications •MediumPowerLinearandSwitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD136	文件：158.04 Kbytes Page：9 Pages	Complementarylowvoltagetransistor Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD136	文件：112.89 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD136	文件：47.23 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications Features •ComplementtoBD135,BD137andBD139respectively Applications MediumPowerLinearandSwitchingApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD136	文件：751.53 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features ComplementtoBD135. Applications Mediumpowerlinearandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BD136	文件：85.15 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES •HighCurrent	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BD136	文件：216.56 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
BD136	文件：74.34 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALPOWERTRANSISTORS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD136	文件：157.51 Kbytes Page：9 Pages	Complementarylowvoltagetransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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产品属性

产品编号：
MRF136
制造商：
MACOM Technology Solutions
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
N 通道
频率：
400MHz
增益：
16dB
额定电流（安培）：
2.5A
噪声系数：
1dB
功率 - 输出：
15W
封装/外壳：
211-07
供应商器件封装：
211-07，2 型
描述：
FET RF 65V 400MHZ 211-07

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