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BD136	文件：88.13 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCBD136/BD138/BD140aresiliconepitaxialplanerPNPtransistor,designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. ThecomplementaryNPNtypesaretheBD135/BD137/BD139.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司
BD136	文件：57.38 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1.5A OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
BD136	文件：53.9 Kbytes Page：2 Pages	PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1.5A OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
BD136	文件：111.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Highcurrent ·ComplementtotypeBD135/137/139 APPLICATIONS ·Driverstagesinhigh-fidelityamplifiersandtelevisioncircuits	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD136	文件：42.46 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor Thisseriesofplastic,medium−powersiliconPNPtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable* •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD136	文件：69.62 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. FEATURES •HighCurrent.(Max.:-1.5A) •LowVoltage(Max.:-45V) •DCCurrentGain:hFE=40Min.@IC=-0.15A •ComplementarytoBD135.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
BD136	文件：133.44 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Highcurrent •ComplementtotypeBD135/137/139 APPLICATIONS •Driverstagesinhigh-fidelityamplifiersandtelevisioncircuits	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
BD136	文件：44.4 Kbytes Page：8 Pages	PNP power transistors DESCRIPTION PNPpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.NPNcomplements:BD135,BD137andBD139. FEATURES •Highcurrent(max.1.5A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Generalpurposepowerapplications,e.g.driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisi	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BD136	文件：44.51 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON TRANSISTORS Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
BD136	文件：104.52 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor 1.5AMPEREPOWERTRANSISTORSPNPSILICON45,60,80VOLTS10WATTS ...designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=0.15Adc •BD136,138,140arecomplementarywithBD135,137,139	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司

产品属性

产品编号：
BD136
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP 45V 1.5A TO126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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