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BD136	文件：1.28503 Mbytes Page：4 Pages	丝印：BD136；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High Current Complement To BD135, BD137 And BD139 文件：1.28503 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
BD136	文件：194.49 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor FEATURES High Current 文件：194.49 Kbytes 页数：2 Pages	SHUNYE 顺烨电子	SHUNYE
BD136	文件：158.04 Kbytes Page：9 Pages	Complementary low voltage transistor Description These epitaxial planar transistors are mounted in the SOT-32 plastic package. They are designed for audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi-complementary circuits. The NPN types are the BD135 and BD139, and the complementary PNP types are the BD136 and BD140. Fe 文件：158.04 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD136	文件：148.83 Kbytes Page：9 Pages	Complementary low voltage transistor Features ■ Products are pre-selected in DC current gain Application ■ General purpose Description These epitaxial planar transistors are mounted in the SOT-32 plastic package. They are designed for audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi-complementary circuits. 文件：148.83 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD136	文件：194.48 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor FEATURES High Current 文件：194.48 Kbytes 页数：2 Pages	SY 顺烨电子	SY
BD136	文件：44.51 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON TRANSISTORS Description These epitaxial planar transistors are mounted in the SOT-32 plastic package. They are designed for audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi-complementary circuits. The NPN types are the BD135 and BD139, and the complementary PNP types are the BD136 and BD140. Fe 文件：44.51 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD136	文件：1.07635 Mbytes Page：4 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High Current ● Complement To BD135, BD137 And BD139 文件：1.07635 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BD136	文件：192.1 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE=40(Min)@lc=-0.15A • Collector-Emitter Sustaining Voltage - : VCEO(sus)= -45V(Min) • Complement to type BD135 APPLICATIONS • Designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. 文件：192.1 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD136	文件：111.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·High current ·Complement to type BD135/137/139 APPLICATIONS ·Driver stages in high-fidelity amplifiers and television circuits 文件：111.28 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD136	文件：85.15 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor FEATURES • High Current 文件：85.15 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

晶体管资料

型号：
BD136(-6...-16)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD166,BC176,BD227,BD234,BD438,3CA4C,
最大耗散功率：
12.5W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
45
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
12.5

产品属性

产品编号：
BD136
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP 45V 1.5A TO126

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