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MRF464	文件：104.08 Kbytes Page：6 Pages	RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON TheRFLine NPNSiliconRFPowerTransistor ...designedprimarilyforapplicationsasahigh–powerlinearamplifierfrom2.0to30MHz,insinglesidebandmobile,marineandbasestationequipment. •Specified28Volt,30MHzCharacteristics— OutputPower=80W(PEP) MinimumGain=	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MRF464	文件：45.87 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF464isDesignedfor28VoltPowerAmplifierApplicationsupto30MHz. FEATURESINCLUDE: •PG=15dBMin.@30MHz&80W •CommonEmitter	ASI Advanced Semiconductor, Inc
MRF464	文件：49.87 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon RF power transistor Description: MRF464isdesignedprimarilyforapplicationsasahigh–powerlinearamplifierfrom2.0to30MHz,insinglesidebandmobile,marineandbasestationequipment. Features: Specified28Volt,30MHzCharacteristics: OutputPower=80W(PEP),MinimumGain=15Db,Efficiency=	ELEFLOWeleflow technologies co., ltd. 易富乐深圳市易富乐科技有限公司
464	文件：56.54 Kbytes Page：1 Pages	SurfaceMountFuses-SubminiatureSurfaceMount	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
464	文件：730.48 Kbytes Page：5 Pages	Superiorvideoperformance,4-channelindustrialvideoencoders	moxa 台湾摩莎
464-SERIES	文件：235.51 Kbytes Page：1 Pages	464SeriesEdgeConnector\|DIN41612 Features Highdensity64Contacts2RowsMetal-to-MetalConnectoron2.54mm(.100”)Grid ContactMaterial:CopperAlloywithselectivegoldplatingandtinontails: CLASS3:2-GoldFlashPlating CLASS2	EDACEDAC, All Rights Reserved. 亚得电子亚得电子（东莞）有限公司
AOD464	文件：152.91 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOD464	文件：1.79237 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET ■Features ●VDS(V)=105V ●ID=40A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AOD464	文件：983.89 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFETS •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AOD464	文件：309.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=105V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=28mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-L	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOD464	文件：129.139 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD464usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseinhighvoltagesynchronousrectification,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOD464isPb-free(meetsROHS	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOD464L	文件：129.139 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD464usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseinhighvoltagesynchronousrectification,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOD464isPb-free(meetsROHS	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
ARF464A	文件：102.94 Kbytes Page：4 Pages	RFPOWERMOSFETsN-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF464AandARF464BcompriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpushpullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto100MHz.Theyhavebeenoptimizedforbothlinearandhighefficiencyclassesofoperation. •Specifie	ADPOW Advanced Power Technology
ARF464B	文件：102.94 Kbytes Page：4 Pages	RFPOWERMOSFETsN-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF464AandARF464BcompriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpushpullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto100MHz.Theyhavebeenoptimizedforbothlinearandhighefficiencyclassesofoperation. •Specifie	ADPOW Advanced Power Technology
CM464	文件：32.02 Kbytes Page：1 Pages	WedgeBase	VCC Visual Communications Company
CS464	文件：73.59 Kbytes Page：4 Pages	SingleCoilPredriver Description TheCS464,SingleCoilPredriver,providesinterfacecontrolforthecurrentthroughaprimaryignitioncoil.Featuresincludeoutputcurrentcontrol,inputnegativeedgefiltering,stalltimingandover-voltageshutdown.TheICisavailableasabumpedflipchiporpackagedina16le	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
CS464	文件：162.31 Kbytes Page：4 Pages	SingleCoilPredriver Description TheCS464,SingleCoilPredriver,providesinterfacecontrolforthecurrentthroughaprimaryignitioncoil.Featuresincludeoutputcurrentcontrol,inputnegativeedgefiltering,stalltimingandover-voltageshutdown.TheICisavailableasabumpedflipchiporpackagedina16le	CherryCHERRY 珠海确励珠海确励电子有限公司
CS464H	文件：73.59 Kbytes Page：4 Pages	SingleCoilPredriver Description TheCS464,SingleCoilPredriver,providesinterfacecontrolforthecurrentthroughaprimaryignitioncoil.Featuresincludeoutputcurrentcontrol,inputnegativeedgefiltering,stalltimingandover-voltageshutdown.TheICisavailableasabumpedflipchiporpackagedina16le	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DT464UGK	文件：2.0558 Mbytes Page：7 Pages	Aneconomicalmeansoftransferringpower	Dallas Dallas Semiconductor Corp.
DT464URK	文件：2.0558 Mbytes Page：7 Pages	Aneconomicalmeansoftransferringpower	Dallas Dallas Semiconductor Corp.

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详细参数

型号：
MRF464
功能描述：
射频双极电源晶体管 RF Transistor
RoHS：
否
制造商：
M/A-COM Technology Solutions
配置：
Single 直流集电极/Base Gain hfe
Min：
40
最大工作频率：
30 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO：
25 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
4 V
集电极连续电流：
20 A
功率耗散：
250 W
封装/箱体：
Case 211-11
封装：
Tray

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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