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IRFP22N60KPBF	文件：175.95 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EnhancedBodyDiodedv/dtCapability Applications •HardSwitchingPrimaryorPFSSwitch •SwitchM	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IXFC22N60P	文件：237.05 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETISOPLUS220	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFC22N60P	文件：323.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH22N60P	文件：301.5 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH22N60P	文件：336.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.35Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP22N60	文件：295.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=360mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFQ22N60	文件：311.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=390mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFV22N60P	文件：301.5 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTQ22N60P	文件：320.27 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTQ22N60P	文件：300.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTV22N60P	文件：320.27 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTV22N60P	文件：293.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTV22N60PS	文件：320.27 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
SIHA22N60AE	文件：140.97 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHA22N60AE	文件：319.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHA22N60AE	文件：154.04 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHA22N60E	文件：319.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHA22N60E	文件：180.44 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHA22N60EF	文件：160.98 Kbytes Page：8 Pages	EFSeriesPowerMOSFETWithFastBodyDiode FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHA22N60EL	文件：169.97 Kbytes Page：8 Pages	ELSeriesPowerMOSFET FEATURES •Reducedfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Lowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Se	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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详细参数

型号：
IXFV22N60PS
功能描述：
MOSFET 600V 22A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IXFV22N60PS	IXYS	07+/08+	PLUS-220SMD	86		询价
深圳市博浩通科技有限公司	IXFV22N60PS	IXYS	23+	PLUS220SMD	10269	全新原装	询价
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更多IXFV22N60PS供应商更新时间2024-5-28 15:30:00

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