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IRLD024	文件：170.74 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.10ohm,Id=2.5A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •ForAutomaticInsertion •EndStackable •Logic-LevelGateDrive •	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLD024	文件：1.59251 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertiablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombina	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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IRLL024NTRPBF	文件：1.50169 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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更多IRFR024TRRPBF供应商更新时间2024-6-6 18:57:00

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